Trong bài phát biểu quan trọng của mình tại Hội nghị Độ tin cậy Vật lý Quốc tế của Viện Kỹ sư Điện và Điện tử, Giám đốc điều hành (CEO) của SK Hynix – Seok-Hee Lee nói về sự hội tụ tất yếu của RAM và CPU, tiêu chuẩn CXL có thể thay thế PCIe như một liên kết nhanh hơn giữa CPU và card đồ họa hoặc giao tiếp bộ nhớ thông minh, cùng với con đường dẫn đến chip NAND 600 lớp.
Các tiêu chuẩn RAM hiện đang chuyển sang kỷ nguyên DDR5 mang lại khá nhiều cải tiến và tăng hiệu năng đáng kể so với DDR4. Tuy nhiên, DDR và người anh em GDDR nhanh hơn của nó không thực sự nhanh so với tiêu chuẩn HBM (bộ nhớ băng thông cao), mà theo CEO của SK Hynix, có thể là nền tảng cho sự hợp nhất tự nhiên giữa CPU và RAM.
Tại Hội nghị Chuyên đề Độ tin cậy Vật lý Quốc tế của Viện Kỹ sư Điện và Điện tử, Seok-Hee Lee đã trình bày tầm nhìn của mình về một tiêu chuẩn RAM nhanh hơn đòi hỏi sự “hội tụ của RAM và CPU”. Lee trình bày một sự phát triển dần dần bắt đầu với HBM:
Để tăng tốc độ giữa bộ nhớ băng thông cao, chúng ta sẽ phải tăng số kênh giữa CPU và RAM, tốc độ sẽ nhanh hơn nữa nếu dùng đến giải pháp Vi xử lí gần bộ nhớ (PNM), tức là sẽ có một CPU trên mỗi thanh RAM. Để tăng tốc thêm, ta cần Xử lý trong bộ nhớ (PIM), nghĩa là mỗi chip nhớ sẽ có 1 CPU bên cạnh. Cuối cùng, tốc độ cao nhất sẽ có trên Máy tính trong bộ nhớ (CIM), nơi CPU và bộ nhớ được tích hợp trong một đế silicon duy nhất, để cung cấp hệ thống tính toán hiệu suất cao.
SK Hynix hiện là nhà sản xuất RAM lớn thứ hai trên thế giới, nhưng hãng không sản xuất bất kỳ loại chip nào khác như CPU. Do đó, Giám đốc điều hành Lee kêu gọi sự hợp tác giữa các gã khổng lồ bán dẫn để hình thành một hệ sinh thái có thể tạo ra và duy trì sản phẩm CPU + RAM mới: “Chỉ bằng cách thiết lập quan hệ đối tác chiến lược cho Đổi mới mở dựa trên sự hợp tác và chia sẻ với khách hàng, nhà cung cấp, giới học giả và chính phủ , chúng ta mới có thể định hình một kỷ nguyên mới, theo đuổi cả giá trị kinh tế và xã hội ”.
Lee cũng trình bày một tiêu chuẩn mới được gọi là Compute Express Link (CXL) có thể bổ sung cho bus PCIe. Bộ nhớ CXL có khả năng di chuyển dữ liệu nhanh chóng và hiệu quả hơn giữa CPU và card đồ họa hoặc các giao tiếp mạng thông minh. “Bộ nhớ CXL đang được chuẩn bị như một giải pháp không chỉ mở rộng băng thông và dung lượng mà còn nâng cao giá trị của một bộ nhớ bền bỉ, […] một giải pháp để thu hẹp khoảng cách giữa hiệu năng bộ nhớ và các yêu cầu của ngành.”
Cuối cùng nhưng không kém phần quan trọng, Lee đã đề cập đến những nỗ lực đang được thực hiện để cải thiện chip nhớ NAND được tích hợp trong các giải pháp lưu trữ SSD. Với việc sử dụng tiến trình 10 nm và nhỏ hơn, SK Hynix cuối cùng có thể sản xuất chip NAND 600 lớp, giúp tăng đáng kể dung lượng lưu trữ và tốc độ truyền dữ liệu so với giới hạn 176 lớp hiện tại.
Nguồn: Notebookcheck.net
Đăng bình luận về bài viết này